硅蚀刻液可令硅结晶型太阳能电池表面形成金字塔状细微纹理结构，用于降低反射率。一般作为蚀刻液的是IPA-碱混合液。不过，本公司此次开发了作为不含IPA 的太阳能电池硅片蚀刻液的“SUN-X 系列”。下面请由我为各位做“SUN-X 系列”的简单介绍。
☆ SUN-X系列基本原理
1) 与环境保护相对应
不使用IPA
SUN-X 成分仅含低挥发性化合物与水
＜沸点＞
SUN-X添加物 | 200℃以上 |
IPA | 82.4℃ |
→减少大气污染
2) 高产量
比较使用SUN-X和碱/IPA做硅片蚀刻时的代表性条件。
＜蚀刻液的使用条件＞
蚀刻液 | SUN-Xs | 碱性/IPA |
使用时溶液的配制方法 | 3倍稀释 | 按设定量混合 |
蚀刻方法 | 浸泡 | 浸泡 |
温度（℃） | 80 | 55~80 |
时间（分钟/） | 20~30 | 45~60 |
组成的稳定性 | 稳定 | 不稳定 |
● 使用IPA时，会发生挥发，需要时时添加，无法保持一定的浓度。
● SUN-X 系列仅可用水稀释3倍。
● 与之前方法相比，蚀刻的处理时间有望是之前的一半以下。
3）容易控制纹理形状、大小
● 一般而言，受光影响，硅片表面会吸收75%能量，反射25%能量。
被反射的光再被旁边的纹理表面吸收。
● 高低纹理相连接，反射的光就不能被吸收而会损失。
● 虽然纹路小的纹理可以很好地吸收光，但俯视图可看到还是有一部分光损失于纹理中。
● 因此，纹理的形状和大小对吸收效果的好坏（提高低反射率）有很大的影响。使用SUN-X，可形成均匀的纹理。
● 分开使用药液，可调整纹理大小。
● 使用SUN-X 600 得到的纹理尺寸约为6～8 μm、使用SUN-X 1200得到的纹理尺寸约为12 μm。
蚀刻液与能量转换效率
蚀刻液 | FF | Jsc | Voc | η |
SUN-X 600 | 0.768 | 35.97 | 0.640 | 17.68 |
SUN-X 1200 | 0.770 | 35.61 | 0.636 | 17.43 |
Alkali/IPA | 0.762 | 34.79 | 0.630 | 16.70 |
● 与之前使用IPA/碱性时相比，可得到具有低反射率、高转换率的晶片。
FUJIFILM Wako
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