n型有机半导体材料

PhC₂-BQQDI和PhC₃-BQQDI

本产品为n型有机半导体材料，其具有优异的大气稳定性和电子迁移速度。

n型有机半导体材料PhC_n-BQQDI，无论采用真空沉积法，还是涂布法，均可形成再现性良好的成膜，但C₂体（n=2）适合涂布法，而C₃体（n=3）适合气相沉积法。

◆基本信息

◆特点

可用于气相沉积法和涂布法的高性能n型有机半导体材料。

■ 高迁移性

· 涂布结晶形成的单晶在大气中的电子迁移速度为3 cm²/Vs

· 真空蒸镀膜在大气中的电子迁移速度超过0.6 cm²/Vs

■ 高稳定性

· 可在大气中长期保持稳定，不受器件结构的影响

· 单晶有机薄膜晶体管（OFET）可维持半年以上，蒸镀法OFET可维持一个月以上

· 迁移性降低率小于10%

■ 高耐性（PhC₂-BQQDI）

· 在单晶OFET中，选择任意基板，都具有超过150°C的高耐热应力

· 良好的偏压应力

◆数据

①PhC₂-BQQDI

LUMO能级估算、大气·热稳定性评估

● 通过循环伏安法（Cyclic Voltammetry，简称CV），估计LUMO为−4.11 eV（4-Hep-BQQDI具有优异的溶解性）

● 通过热重-差热分析法（Thermogravimetry−Differential Thermal Analysis，简称TG−DTA），在421 °C下未观察到分解或相变的热异常

● 大气储存下采用气相沉积法形成的100 nm薄膜在1个月内的紫外-可见光（UV-Vis）光谱无变化。

团聚体结构

呈砖砌型团聚体结构，能够观察到相邻BQQDI骨架之间的多分子相互作用，并可实现二维电荷传输。

PhC₂-BQQDI的单晶OFET

②PhC₃-BQQDI

PhC₃-BQQDI单晶结构与LUMO之间的转移积分。

评估大气中真空气相沉积OTFT特性（通道长/宽=100 µm/1000 µm）

（a）OTFT结构图

（b）PhC₂-BQQDI和（c）PhC₃-BQQDI在饱和区随基板温度变化的传输特性（漏极电压：50 V）

 蓝线：室温、绿线：100°C、红线：180°C

（d）PhC₂-BQQDI及（e）PhC₃-BQQDI的迁移速度在大气中的经时变化

③PhC₂-BQQDI与PhC₃-BQQDI

†：在饱和区（漏极电压=50 V）时评估

‡：栅极电压=50 V时的估算值

※ 本页面产品仅供研究用，研究以外不可使用。

参考文献